展商名称：沈阳拓荆科技有限公司
展位号：5C179

 
沈阳拓荆科技有限公司，致力于研发、制造、销售薄膜沉积设备，是国内领先的高科技设备供应企业。公司拥有12英寸及8寸产品线，适合多类行业薄膜制备的灵活应用，并有能力根据不同客户的特殊需求，对设备进行设计和升级。我们将不断提高产品质量

展品一：PF-300T      12英寸PECVD设备
 
PF系列是国家十一五重大专项所支持，由我公司自主研发的12英寸PECVD设备，拥有100%知识产权。其用于40-28纳米集成电路的生产，具有14-10纳米技术的延伸性。设备成本（CoO）及性能指标，达到世界领先水平。设备已在多家国内及台湾企业的大规模集成电路及陷阱封装生产线（TSV）实施量产，累积超过100万片。充分展现国产半导体设备的实力与成果。

特点：国际领先的生产（CoO）及性能指标；可搭载1-3个PM；成熟的氧化硅，氮化硅及TEOS氧化硅标准工艺；可配置1-3路液态源；具备TSV所需的低温（<200℃）TEOS氧化硅工艺；通过S2安全认证和F47标准检验；可与8英寸兼容互相切换

展品二：PF-200T    8英寸PECVD设备

由我公司自主研发的8英寸PECVD设备，拥有100%知识产权。PF-200T是基于PF系列平台开发，在硬件结构以及系统稳定性和PF-300T保持一致，PF-300T在众多的客户产线经过了严格的验证。设备生产成本（CoO）及性能指标，达到世界领先水平。设备已进入国内知名大规模集成电路企业验证，将填补国内无8英寸PECVD设备量产的空白，充分体现公司在8-12英寸PECVD设备的技术实力。

特点：国际领先的生产成本（CoO）及性能指标；可搭载1-3个PM；采用现有零部件，降低维护成本；成熟的SiO2，SiN及SiON标准工艺；可配置1-3路液态源；具备高温（400℃）的TEOS SiO2工艺；具备TSV所需的低温（<200℃）TEOS SiO2工艺；通过S2安全认证和F47标准检验

展品三：NF-300T    12寸 3D NAND 设备

 
3D NAND设备由沈阳拓荆科技有限公司自主研发、承担了国家“十三五”重大科技专项，是国产首台应用于新一代闪存芯片生产线上的薄膜沉积设备，拥有100%自主知识产权。应用于30-20纳米集成电路的生产，可扩展到20nm以下制程。目前可实现氧化硅/氮化硅/氧化硅/氮化硅（ONON）多层薄膜堆叠结构，在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面给予突破，设备性能指标达到同类产品国际先进水平，具备产业化能力及市场竞争力。

特点：行业领先的技术水平；可实现多层氧化硅/氮化硅（ONON）堆叠；稳定的薄膜性能指标及工艺表现；不同种类薄膜沉积的快速切换，高产能化；能够满足300-600℃的高温沉积的要求；多层喷淋头结构设计，快速气相切换；严格的S2安全认证

展品四：FT-300T     12英寸ALD设备
 
FT-300T系列是我公司自主研发的原子层沉积(Atomic Layer Deposition）设备，反应腔搭载在已通过生产验证的高产能PECVD平台上，充分实现ALD设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路、OLED及先进封装(TSV)领域。ALD技术一次沉积一层原子层薄膜，并针对14nm以下FEOL前道工艺进行合作开发。能有效覆盖及填充高深度比的孔洞。可提供具有高质量的氧化硅、氮化硅，氧化铝薄膜，陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等应用。
特点：通过控制周期数（交替次数）达到精确控制薄膜生长的厚度；具有优异的均匀性和极佳的保形性；可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD；ALD薄膜在高深宽比（44:1），开口尺寸为50nm情况下台阶覆盖率可大95%。

典型应用产品：3D-TSV,光波导，LED,3D-NAND闪存，OLED显示等
产品分类：IC支撑（设备及材料）
产品应用领域：电子制造设备