开播啦！以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料的应用，早已成为各国争相发展的重点。随着宽禁带技术的进步，材料工艺与器件工艺的逐步成熟，在一些高端应用领域，正在逐步取代第一代、第二代半导体材料，并建立了衬底、外延、器件以及应用等完整的产业链。在大规模商用上，较高的技术门槛和成本依然是第三代宽禁带半导体发展的瓶颈。

来吧，让我们一起为产业加油！

活动：2020 年第三代宽禁带半导体产业发展在线技术论坛

时间：2020年5月20日下午14:00 --- 16:00
主办单位：中国电子信息博览会（CITE2020）
协办单位：上海市集成电路行业协会、《中国电子商情》杂志社

演讲题目：“Faster, Cooler, Tougher”——第三代半导体的机遇和挑战
演讲嘉宾：上海瞻芯电子科技有限公司创始人兼总经理，张永熙博士

张永熙博士于2017年7月创办上海瞻芯电子科技有限公司，专注于碳化硅功率器件芯片和驱动芯片的产业化。张博士在新泽西州立大学（Rutgers University）学习期间，研发了世界上第一款碳化硅功率集成电路，并于2008年获得博士学位。博士毕业后就职于美国TI公司模拟技术研发部，入选Senior Member Technical Staff。张博士从复旦大学硕士毕业后曾就职于上海贝岭。目前，张博士共持有美国发明专利16项、中国发明专利4项。

演讲题目：安森美半导体SiC方案应用于太阳能逆变器电源及电动汽车充电桩等
演讲嘉宾：安森美半导体标准产品部工程师 袁光明

袁光明(Jerry Yuan)先生是安森美半导体标准产品部的工程师，毕业于华南理工大学并获得硕士学位。袁先生毕业后一直在半导体行业工作，拥有超过13年成功的产品开发及技术支持经验。

线上踊跃提问，还有精美大礼！

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